onsemi N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 220 mA, 410 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363

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RS Best.-Nr.:
739-0183
Herst. Teile-Nr.:
FDG6322C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

220 mA, 410 mA

Drain-Source-Spannung max.

25 V

Gehäusegröße

SOT-363

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

1,9 Ω, 7 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.65V

Verlustleistung max.

300 mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

–8 V, +8 V

Breite

1.25mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

0,29 nC @ 4,5 V, 1,1 nC @ 5 V

Länge

2mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1mm

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MOSFET-Transistoren, ON Semi


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On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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