onsemi N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 220 mA, 410 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363

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RS Best.-Nr.:
178-7600
Herst. Teile-Nr.:
FDG6322C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

220 mA, 410 mA

Drain-Source-Spannung max.

25 V

Gehäusegröße

SOT-363

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

1,9 Ω, 7 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.65V

Verlustleistung max.

300 mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

–8 V, +8 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

0,29 nC @ 4,5 V, 1,1 nC @ 5 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Länge

2mm

Breite

1.25mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1mm

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