onsemi N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 25 V / 220 mA, 410 mA 300 mW, 6-Pin SOT-363

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RS Best.-Nr.:
178-7600
Herst. Teile-Nr.:
FDG6322C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

220 mA, 410 mA

Drain-Source-Spannung max.

25 V

Gehäusegröße

SOT-363

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

1,9 Ω, 7 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.65V

Verlustleistung max.

300 mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

–8 V, +8 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

0,29 nC @ 4,5 V, 1,1 nC @ 5 V

Länge

2mm

Breite

1.25mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1mm

Zweifach-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser enorme Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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