onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 760 mA 310 mW, 3-Pin NTE4151PT1G SC-89

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780-0554
Herst. Teile-Nr.:
NTE4151PT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

760mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SC-89

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

6 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

310mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

1.7mm

Höhe

0.8mm

Breite

0.95 mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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