onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 760 mA 310 mW, 3-Pin SC-89

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

243,00 €

(ohne MwSt.)

288,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 22. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,081 €243,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
124-5403
Herst. Teile-Nr.:
NTE4151PT1G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

760mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SC-89

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

310mW

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

6 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

0.95 mm

Höhe

0.8mm

Länge

1.7mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


Verwandte Links