Vishay Si1077X Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 760 mA 236 mW, 6-Pin SI1077X-T1-GE3 SC-89

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RS Best.-Nr.:
812-3050
Herst. Teile-Nr.:
SI1077X-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

760mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SC-89

Serie

Si1077X

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

244mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.43nC

Maximale Verlustleistung Pd

236mW

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.6mm

Breite

1.2 mm

Länge

1.7mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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