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    Vishay P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 760 mA 236 mW, 6-Pin SC-89-6

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    RS Best.-Nr.:
    812-3050
    Herst. Teile-Nr.:
    SI1077X-T1-GE3
    Marke:
    Vishay
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    Marke

    Vishay

    Channel-Typ

    P

    Dauer-Drainstrom max.

    760 mA

    Drain-Source-Spannung max.

    30 V

    Gehäusegröße

    SC-89-6

    Montage-Typ

    SMD

    Pinanzahl

    6

    Drain-Source-Widerstand max.

    244 mΩ

    Channel-Modus

    Enhancement

    Gate-Schwellenspannung min.

    0.7V

    Verlustleistung max.

    236 mW

    Transistor-Konfiguration

    Einfach

    Gate-Source Spannung max.

    -12 V, +12 V

    Betriebstemperatur max.

    +150 °C

    Länge

    1.7mm

    Gate-Ladung typ. @ Vgs

    4,43 nC @ 4,5 V

    Breite

    1.2mm

    Anzahl der Elemente pro Chip

    1

    Transistor-Werkstoff

    Si

    Betriebstemperatur min.

    -55 °C

    Höhe

    0.6mm

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