Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 135 mA 250 mW, 6-Pin SC-89-6

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
812-3029
Herst. Teile-Nr.:
SI1025X-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

135 mA

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

SC-89-6

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

8 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

250 mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

1.7mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

1,7 nC @ 15 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

1.2mm

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

0.6mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Ursprungsland:
PH

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor



MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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