Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 135 mA 250 mW, 6-Pin SC-89-6
- RS Best.-Nr.:
- 812-3029
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1025X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SI1025X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
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Marke | Vishay | |
Channel-Typ | P | |
Dauer-Drainstrom max. | 135 mA | |
Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
Gehäusegröße | SC-89-6 | |
Montage-Typ | SMD | |
Pinanzahl | 6 | |
Drain-Source-Widerstand max. | 8 Ω | |
Channel-Modus | Enhancement | |
Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
Verlustleistung max. | 250 mW | |
Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
Breite | 1.2mm | |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 1,7 nC @ 15 V | |
Länge | 1.7mm | |
Transistor-Werkstoff | Si | |
Höhe | 0.6mm | |
Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
Alle auswählen | ||
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Marke Vishay | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 135 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße SC-89-6 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 250 mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 1.2mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,7 nC @ 15 V | ||
Länge 1.7mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 0.6mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
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