Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 135 mA 250 mW, 6-Pin SC-89-6
- RS Best.-Nr.:
- 812-3029
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1025X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 812-3029
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1025X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ P | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 60 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 135 mA | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 250 mW | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Gehäusegröße | SC-89-6 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | -1.4 V | |
| Höhe | 600 μm | |
| Länge | 1.7 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 8 Ω | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | -20 V, +20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 1.7 nC | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Serie TrenchFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ P | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 60 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 135 mA | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 250 mW | ||
Pinanzahl 6 | ||
Gehäusegröße SC-89-6 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) -1.4 V | ||
Höhe 600 μm | ||
Länge 1.7 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 8 Ω | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) -20 V, +20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 1.7 nC | ||
Breite 1.2 mm | ||
- Ursprungsland:
- PH
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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