Vishay TrenchFET SI1401EDH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4 A, 6-Pin SOT-363

Der Vishay P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 12 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 34 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 2,8 W und einen Dauerstrom von 4 A. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen Transistor beträgt 1,5 V bzw. 4,5 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET
• Typische ESD-Leistung 1500 V

• Mobiltelefon
• DSC
• GPS
• Lastschalter
• MP3
• PA-Schalter und Batterie für tragbare Geräte
• Tragbare Spielkonsole

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-geprüft