Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 4 A 1.8 W, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:
180-7264
Herst. Teile-Nr.:
SI1401EDH-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Gehäusegröße

US

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

34mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

1.8W

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.2mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 12V and a maximum gate-source voltage of 10V. It has drain-source resistance of 34mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power dissipation of 2.8W and continuous drain current of 4A. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 1.5V and 4.5V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

• Typical ESD performance 1500V

Applications


• Cellular phone

• DSC

• GPS

• Load switch

• MP3

• PA switch and battery switch for portable devices

• Portable game console

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested

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