Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 8 A 4.2 W, 6-Pin TSOP

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
812-3160
Herst. Teile-Nr.:
SI3477DV-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Gehäusegröße

TSOP

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

33mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

58nC

Maximale Verlustleistung Pd

4.2W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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