Vishay TrenchFET Si3129DV-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 5,4 A, 6-Pin TSOP-6
- RS Best.-Nr.:
- 228-2817
- Herst. Teile-Nr.:
- Si3129DV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Voraussichtlich ab 21.11.2024 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 25)
0,551 €
(ohne MwSt.)
0,656 €
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 25 - 225 | 0,551 € | 13,775 € |
| 250 - 600 | 0,496 € | 12,40 € |
| 625 - 1225 | 0,468 € | 11,70 € |
| 1250 - 2475 | 0,358 € | 8,95 € |
| 2500 + | 0,276 € | 6,90 € |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 228-2817
- Herst. Teile-Nr.:
- Si3129DV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay TrenchFET P-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für die Stromüberwachung von tragbaren und Verbraucherlastschaltern und DC/DC-Wandlern verwendet.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 5,4 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
| Gehäusegröße | TSOP-6 |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 6 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0827 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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