Vishay Doppelt TrenchFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 3.9 A 1.4 W, 6-Pin TSOP

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RS Best.-Nr.:
180-7911
Herst. Teile-Nr.:
SI3585CDV-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

TSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.2nC

Maximale Verlustleistung Pd

1.4W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.05mm

Breite

1.65 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount dual channel (both P and N-channels) MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 20V. The MOSFET has a drain-source resistance of 58mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has continuous drain currents of 3.9A and 2.1A. It has a maximum power rating of 1.4W and 1.3W. It has been optimized, for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications


• DC/DC converters

• Drivers: motor, solenoid, relay

• Load switch for portable devices

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

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