Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8 A 2.7 W, 6-Pin TSOP

RS Best.-Nr.:: 180-7281
Herst. Teile-Nr.:: SI3421DV-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8 A 2.7 W, 6-Pin TSOP

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RS Best.-Nr.:: 180-7281
Herst. Teile-Nr.:: SI3421DV-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	TSOP
	Serie	TrenchFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	19.2mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	2.7W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	21nC
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	3.1mm
	Höhe	1.1mm
	Breite	2.98 mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße TSOP
	Serie TrenchFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 19.2mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 2.7W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 3.1mm
	Höhe 1.1mm
	Breite 2.98 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 19.2mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 4.2W and continuous drain current of 8A. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Adaptor switch

• DC/DC converter

• For mobile computing/consumer

• Load switches

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested

• UIS tested