Teile-Nr.

Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 7.2 A 2.7 W, 8-Pin SI4447ADY-T1-GE3 SO-8

RS Best.-Nr.:: 180-7948
Herst. Teile-Nr.:: SI4447ADY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 7.2 A 2.7 W, 8-Pin SI4447ADY-T1-GE3 SO-8

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RS Best.-Nr.:: 180-7948
Herst. Teile-Nr.:: SI4447ADY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	7.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	SO-8
	Serie	TrenchFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	62mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	2.7W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	11.8nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.75mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.2 mm
	Länge	5mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße SO-8
	Serie TrenchFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 62mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 2.7W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.8nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.75mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.2 mm
	Länge 5mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

Der Vishay P-Kanal-MOSFET für Oberflächenmontage ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 40 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 20 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 45 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 4,2 W und einen Dauerstrom von 7,2 A. Die minimale und maximale Treiberspannung für diesen Transistor beträgt 4,5 V bzw. 10 V. Der MOSFET wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogenfrei

• bleifrei (Pb)

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• Adapterschalter

• Lastschalter

• Notebook-PCs

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg-geprüft