Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14.9 A 3.2 W, 8-Pin SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
180-7295
Herst. Teile-Nr.:
SI4825DDY-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

3.2W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.75mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 25V. It has drain-source resistance of 12.5mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 5W and continuous drain current of 14.9A. It has a minimum and a maximum driving voltage of 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications


• Load Switch

• Notebook Adaptor Switch

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested

Verwandte Links