Vishay SI4909DY-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6,5 A 3,2 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 818-1302
Herst. Teile-Nr.:: SI4909DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI4909DY-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 6,5 A 3,2 W, 8-Pin SOIC

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
20 - 80	0,759 €	15,18 €
100 - 180	0,645 €	12,90 €
200 - 480	0,547 €	10,94 €
500 - 980	0,508 €	10,16 €
1000 +	0,486 €	9,72 €

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RS Best.-Nr.:: 818-1302
Herst. Teile-Nr.:: SI4909DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	6,5 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	34 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	3,2 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Breite	4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	41,5 nC @ 10 V
Höhe	1.55mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C