Vishay Si4164DY Typ N-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 30 A 6 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
812-3198
Herst. Teile-Nr.:
SI4164DY-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

TrenchFET Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

Si4164DY

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0032Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.72V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

6W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC JS709A, RoHS

Länge

5mm

Breite

4 mm

Höhe

1.55mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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