Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 7.5 A 2000 mW, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 710-3327
Herst. Teile-Nr.:: SI4214DDY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 7.5 A 2000 mW, 8-Pin SOIC

Preis pro Stück (In einer VPE à 5)**

0,612 €

(ohne MwSt.)

0,728 €

(inkl. MwSt.)

Voraussichtlich ab 29.05.2025 verfügbar.*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Stück	Pro Stück	Pro Packung**
5 - 45	0,612 €	3,06 €
50 - 245	0,546 €	2,73 €
250 - 495	0,41 €	2,05 €
500 - 1245	0,352 €	1,76 €
1250 +	0,346 €	1,73 €

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 710-3327
Herst. Teile-Nr.:: SI4214DDY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A N
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	7.5 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	19,5 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	2000 mW
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	14,5 nC bei 10 V, 7,1 nC bei 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	4mm
Länge	5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	1.5mm

Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 7.5 A 2000 mW, 8-Pin SOIC

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor

Verwandte Produkte