Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 3.8 A 3.1 W, 8-Pin ChipFET

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

3,08 €

(ohne MwSt.)

3,66 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 1.980 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 +0,154 €3,08 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
818-1352
Herst. Teile-Nr.:
SI5935CDC-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

ChipFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

156mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Breite

1.7 mm

Höhe

1.1mm

Länge

3.1mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links