Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4 A 3.1 W, 8-Pin 1206-8 ChipFET
- RS Best.-Nr.:
- 735-215
- Herst. Teile-Nr.:
- SI5908BDC-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | 1206-8 ChipFET | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.05Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 1.975mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Länge | 3.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße 1206-8 ChipFET | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.05Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 1.975mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Länge 3.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- DE
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