Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 20 V / 4 A 3.1 W, 8-Pin 1206-8 ChipFET

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

0,76 €

(ohne MwSt.)

0,90 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 12. April 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +0,76 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
735-215
Herst. Teile-Nr.:
SI5908BDC-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

1206-8 ChipFET

Serie

TrenchFET

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.05Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.5nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Länge

3.1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE

Verwandte Links