Vishay SI4948BEY-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,1 A 2,4 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 787-9008
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4948BEY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 3,1 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 150 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 2,4 W |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 14,5 nC @ 10 V |
| Länge | 5mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Breite | 4mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 1.5mm |
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