Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 3.1 A 2.4 W, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3

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787-9008
Herst. Teile-Nr.:
SI4948BEY-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.4W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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