Teile-Nr.

Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8 A 5 W, 8-Pin SOIC SI4925DDY-T1-GE3

RS Best.-Nr.:: 787-9052
Herst. Teile-Nr.:: SI4925DDY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8 A 5 W, 8-Pin SOIC SI4925DDY-T1-GE3

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RS Best.-Nr.:: 787-9052
Herst. Teile-Nr.:: SI4925DDY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	TrenchFET
	Gehäusegröße	SOIC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	41mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	5W
	Betriebstemperatur min.	150°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	32nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Betriebstemperatur	-55°C
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Breite	4 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	5mm
	Höhe	1.5mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie TrenchFET
	Gehäusegröße SOIC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 5W
	Betriebstemperatur min. 150°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Betriebstemperatur -55°C
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Breite 4 mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 5mm
	Höhe 1.5mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 8 A 5 W, 8-Pin SOIC SI4925DDY-T1-GE3

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Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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