Vishay SI7288DP-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A 15,6 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 919-4334
Herst. Teile-Nr.:: SI7288DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI7288DP-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A 15,6 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:: 919-4334
Herst. Teile-Nr.:: SI7288DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	20 A
Drain-Source-Spannung max.	40 V
Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	22 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1.2V
Verlustleistung max.	15,6 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	5mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Länge	5.99mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	10 nC @ 10 V
Höhe	1.07mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C