Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 20 A 15.6 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
919-4334
Herst. Teile-Nr.:
SI7288DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

15.6W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Länge

5.99mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.07mm

Breite

5 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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