Vishay Isoliert TrenchFET N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 40 V Erweiterung / 20 A 15.6 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
919-4334
Herst. Teile-Nr.:
SI7288DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

15.6W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

5.99mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5mm

Höhe

1.07mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.