Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 40 V / 20.5 A 5.7 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
812-3195
Herst. Teile-Nr.:
SI4124DY-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.009Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Maximale Verlustleistung Pd

5.7W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Höhe

1.55mm

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 30 V bis 50 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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