Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 12 A 19 W, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:
814-1213
Herst. Teile-Nr.:
SIA449DJ-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.038Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

19W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.8mm

Breite

2.15 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

2.15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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