Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 4 A 1.8 W, 6-Pin US

RS Best.-Nr.:: 180-7898
Herst. Teile-Nr.:: SI1401EDH-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 4 A 1.8 W, 6-Pin US

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Herst. Teile-Nr.:: SI1401EDH-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	12V
	Gehäusegröße	US
	Serie	TrenchFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	34mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	14.1nC
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.8W
	Gate-Source-spannung max Vgs	10 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	2.2mm
	Breite	2.4 mm
	Höhe	1.1mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 12V
	Gehäusegröße US
	Serie TrenchFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 34mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.1nC
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.8W
	Gate-Source-spannung max Vgs 10 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 2.2mm
	Breite 2.4 mm
	Höhe 1.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 12V and a maximum gate-source voltage of 10V. It has drain-source resistance of 34mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power dissipation of 2.8W and continuous drain current of 4A. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 1.5V and 4.5V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

• Typical ESD performance 1500V

Applications

• Cellular phone

• DSC

• GPS

• Load switch

• MP3

• PA switch and battery switch for portable devices

• Portable game console

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested