Vishay TrenchFET Si6423ADQ-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 12,5 A, 8-Pin TSSOP
- RS Best.-Nr.:
- 228-2822
- Herst. Teile-Nr.:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)
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| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
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- RS Best.-Nr.:
- 228-2822
- Herst. Teile-Nr.:
- Si6423ADQ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay TrenchFET P-Kanal-Leistungs-MOSFET wird für Lastschalter, Batterie- und Stromüberwachungsanwendungen verwendet.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 12,5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Serie | TrenchFET |
| Gehäusegröße | TSSOP |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0098 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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