Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 190 A, 3-Pin SC-75
- RS Best.-Nr.:
- 180-7261
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1021R-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- SI1021R-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 190 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SC-75 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 8 O | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 190 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SC-75 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 8 O | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Vishay Siliconix Si1021R-Serie hat einen niedrigen Betriebswiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Er wird in Batterie betriebenen Systemen, Stromwandlerschaltungen, Halbleiterrelais und in Treibern verwendet.
Einfache Ansteuerung von Schaltern
Niedrige Offsetspannung
Niederspannungsbetrieb
Hochgeschwindigkeitsschaltungen
Leicht ohne Puffer zu fahren
Kleiner Platinenbereich
Niedrige Offsetspannung
Niederspannungsbetrieb
Hochgeschwindigkeitsschaltungen
Leicht ohne Puffer zu fahren
Kleiner Platinenbereich
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