Vishay N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 4,3 A; 4,5 A 6,5 W, 6-Pin SOT-363

RS Best.-Nr.:: 814-1225
Herst. Teile-Nr.:: SIA517DJ-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 4,3 A; 4,5 A 6,5 W, 6-Pin SOT-363

Mengenrabatt verfügbar

Preis pro Stück (In einer VPE à 20)**

0,482 €

(ohne MwSt.)

0,574 €

(inkl. MwSt.)

Voraussichtlich ab 08.04.2026 verfügbar.*

* Die Liefertermine können sich je nach gewählter Menge und Lieferadresse ändern.

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Stück	Pro Stück	Pro Packung**
20 - 180	0,482 €	9,64 €
200 - 480	0,424 €	8,48 €
500 - 980	0,356 €	7,12 €
1000 - 1980	0,337 €	6,74 €
2000 +	0,289 €	5,78 €

**Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 814-1225
Herst. Teile-Nr.:: SIA517DJ-T1-GE3
Marke:: Vishay

SiA517DJ, N- and P-Channel 12V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	4,3 A; 4,5 A
Drain-Source-Spannung max.	12 V
Gehäusegröße	SOT-363
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	65 mΩ, 170 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.4V
Verlustleistung max.	6,5 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	2.15mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	13,1 nC @ 8 V, 9,7 nC @ 8 V
Breite	2.15mm
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Betriebstemperatur min.	-55 °C
Höhe	0.8mm

Vishay N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 12 V / 4,3 A; 4,5 A 6,5 W, 6-Pin SOT-363

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor

Verwandte Produkte