Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 12 V Erweiterung / 4.5 A 6.5 W, 6-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 814-1225
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA517DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P, Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 170mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -8V, +8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Breite | 2.15mm | |
| Länge | 2.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 800μm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P, Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 170mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -8V, +8V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Breite 2.15mm | ||
Länge 2.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 800μm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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