Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 12 V Erweiterung / 4.5 A 6.5 W, 6-Pin SC-70

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RS Best.-Nr.:
814-1225
Herst. Teile-Nr.:
SIA517DJ-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

12V

Gehäusegröße

SC-70

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

170mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9.7nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Verlustleistung Pd

6.5W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Länge

2.15mm

Höhe

0.8mm

Breite

2.15 mm

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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