Vishay SIA817EDJ-T1-GE3 MOSFET

Der Vishay SIA817EDJ ist ein P-Kanal-MOSFET mit Schottky-Diode, die eine Drain-to-Source(Vds)-Spannung von -30 V hat Er verfügt über eine Konfiguration von zwei plus integriertem Schottky. Die Gate-Quelle-Spannung (VGS) beträgt 12 V. Es verfügt über ein Power PAK SC-70-Gehäuse. Es bietet einen Ablass-zu-Quell-Widerstand (RDS.) 0,065 Ohm bei 10 VGS und 0,08 Ohm bei 4,5 VGS. Maximaler Drain-Strom: -4,5 A.

Kleiner Fuß plus Schottky-Leistungs-MOSFET
Thermisch verbessertes Power PAK SC-70-Gehäuse mit geringer Abmessung, geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, dünnes 0,75-mm-Profil
Typischer ESD-Schutz (MOSFET): 1500 V (HBM)