Vishay SIA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 8.8 A 15.6 W, 7-Pin SIA112LDJ-T1-GE3 SC-70-6L

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Herst. Teile-Nr.:
SIA112LDJ-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SC-70-6L

Serie

SIA

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.119Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

15.6W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

2.05mm

Automobilstandard

Nein

VISHAYs MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET, und der Transistor besteht aus dem Material Silizium.

TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Vollständig bleifreies Bauteil

Sehr niedrige RDS x Qg-Leistungszahl

100 Prozent Rg und UIS getestet

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