Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 19 W, 6-Pin SC-70-6L

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RS Best.-Nr.:
178-3667
Herst. Teile-Nr.:
SiA106DJ-T1-GE3
Marke:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SC-70-6L

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0185Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

19W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.9nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.2mm

Höhe

1mm

Breite

1.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss

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