Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.5 A 7.8 W, 8-Pin SC-70

RS Best.-Nr.:: 228-2834
Herst. Teile-Nr.:: SIA938DJT-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.5 A 7.8 W, 8-Pin SC-70

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RS Best.-Nr.:: 228-2834
Herst. Teile-Nr.:: SIA938DJT-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	4.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	SC-70
	Serie	TrenchFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	21.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	7.8W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	3.5nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Doppelt
	Normen/Zulassungen	No
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße SC-70
	Serie TrenchFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 21.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 7.8W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.5nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Doppelt
	Normen/Zulassungen No
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIA938DJT-T1-GE3

MOSFET der Serie TrenchFET von Vishay, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 4,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIA938DJT-T1-GE3

Dieser MOSFET ist ein kompakter, oberflächenmontierter Zweikanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagementaufgaben in elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet bei niedrigen Spannungswerten und eignet sich für kompakte Baugruppen, bei denen der Platz auf der Leiterplatte begrenzt ist. Das Gerät nimmt mäßige Dauerstromstärken auf und unterstützt den Betrieb über einen breiten Temperaturbereich für industrielle und gewerbliche Elektronikumgebungen.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ablasswert von 20 V ermöglicht das Schalten von Niederspannungsanlagen
• 4,5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• Niedrige Rds(on) von 21,5 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Typische Gate-Ladung von 3,5 nC minimiert die Schaltenergie
• Maximaler 12-V-Gate-Source-Schutz vereinfacht den Gate-Antrieb
• Die Verlustleistung von 7,8 W ermöglicht thermische Reichweite in kompakten Layouts

Anwendungen

• Geeignet für batteriebetriebene Motortreiber und Steuerungen
• Ideal für DC/DC-Wandler in eingebetteten Systemen
• Wird für Lastschaltvorgänge in Automationssteuerungsmodulen verwendet
• Kann für die Stromverteilung in tragbarer Elektronik verwendet werden

Welchen thermischen Bereich kann er während des Betriebs tolerieren?

Er ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt und unterstützt den Kaltstart- und Hochtemperaturbetrieb.

Wie ist das Gerät für die Leiterplattenmontage verpackt?

Es wird in einem kompakten SC-70-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit einer Acht-Pin-Anzahl für die Platzierung von zwei Elementen geliefert.

Kann dieser Transistor in Multi-Transistor-Chip-Konfigurationen verwendet werden?

Ja, er enthält zwei Transistorelemente auf einer einzigen Matrize, die als Doppeltransistor konfiguriert sind, was das Layout für gepaarte Schaltvorgänge vereinfacht.

Welche Gate-Drive-Bedenken gelten für einen robusten Betrieb?

Die maximale zulässige Gate-to-Source-Spannung beträgt 12 V

Designs sollten die Antriebsspannung entsprechend begrenzen, um diese Nennleistung nicht zu überschreiten.

Wie viel Leistung kann das Gerät sicher auf einer Leiterplatte ableiten?

Die maximale Verlustleistung ist auf 7,8 W angegeben, die über das thermische Design der Leiterplatte und den entsprechenden Kupferbereich verwaltet werden muss.