Vishay TrenchFET SIA938DJT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,5 A, 8-Pin PowerPAK SC-70-6L Dual

RS Best.-Nr.:: 228-2834
Herst. Teile-Nr.:: SIA938DJT-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET SIA938DJT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,5 A, 8-Pin PowerPAK SC-70-6L Dual

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Produktdetails

Der Vishay Dual N-Kanal MOSFET bietet außergewöhnliche Vielseitigkeit für das Design des Strommanagements.

Sehr niedriger RDS(on) und ausgezeichneter RDS x Qg.
Merit-of-Merit (FOM) in einem ultrakompakten
Gehäuseabmessungen

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4,5 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	PowerPAK SC-70-6L Dual
Serie	TrenchFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0215 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.5V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Transistor-Werkstoff	Si

Vishay TrenchFET SIA938DJT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,5 A, 8-Pin PowerPAK SC-70-6L Dual

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