Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.5 A 7.8 W, 8-Pin SC-70

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

450,00 €

(ohne MwSt.)

540,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 3.000 Einheit(en) mit Versand ab 06. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,15 €450,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
228-2834
Herst. Teile-Nr.:
SIA938DJT-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SC-70

Serie

TrenchFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.5nC

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

7.8W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Vishay Dual N-Kanal MOSFET bietet außergewöhnliche Vielseitigkeit für das Design des Strommanagements.

Sehr niedriger RDS(on) und ausgezeichneter RDS x Qg.

Merit-of-Merit (FOM) in einem ultrakompakten

Gehäuseabmessungen

Verwandte Links