Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 0.5 A 220 mW, 6-Pin SC-89 SI1034CX-T1-GE3

RS Best.-Nr.:: 180-7879
Herst. Teile-Nr.:: SI1034CX-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 0.5 A 220 mW, 6-Pin SC-89 SI1034CX-T1-GE3

Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*

8,70 €

(ohne MwSt.)

10,35 €

(inkl. MwSt.)

VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €

Auf Lager

8.900 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
50 +	0,174 €	8,70 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 180-7879
Herst. Teile-Nr.:: SI1034CX-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	0.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	SC-89
	Serie	TrenchFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.396Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	1.3nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	220mW
	Gate-Source-spannung max Vgs	8 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Transistor-Konfiguration	Doppelt
	Höhe	0.6mm
	Breite	1.2 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	1.7mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße SC-89
	Serie TrenchFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.396Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.3nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 220mW
	Gate-Source-spannung max Vgs 8 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Transistor-Konfiguration Doppelt
	Höhe 0.6mm
	Breite 1.2 mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 1.7mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount dual N-channel MOSFET has a drain-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 396mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power rating of 220mW. The MOSFET has continuous drain current of 610mA. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Gate source ESD protected: 1000V

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Battery powered devices

• Drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories

• Load/power switching for portable devices

• Power supply converter circuits

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested