Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 0.5 A 220 mW, 6-Pin SC-89 SI1034CX-T1-GE3

RS Best.-Nr.:: 180-7879
Herst. Teile-Nr.:: SI1034CX-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 0.5 A 220 mW, 6-Pin SC-89 SI1034CX-T1-GE3

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Herst. Teile-Nr.:: SI1034CX-T1-GE3
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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	0.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Serie	TrenchFET
	Gehäusegröße	SC-89
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.396Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	8 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	1.3nC
	Maximale Verlustleistung Pd	220mW
	Transistor-Konfiguration	Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	1.7mm
	Höhe	0.6mm
	Breite	1.2 mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Serie TrenchFET
	Gehäusegröße SC-89
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.396Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 8 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.3nC
	Maximale Verlustleistung Pd 220mW
	Transistor-Konfiguration Doppelt
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 1.7mm
	Höhe 0.6mm
	Breite 1.2 mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount dual N-channel MOSFET has a drain-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 396mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power rating of 220mW. The MOSFET has continuous drain current of 610mA. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Gate source ESD protected: 1000V

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Battery powered devices

• Drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories

• Load/power switching for portable devices

• Power supply converter circuits

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested