Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 700 mA 340 mW, 6-Pin SC-70-6

RS Best.-Nr.:: 812-3094
Herst. Teile-Nr.:: SI1553CDL-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 700 mA 340 mW, 6-Pin SC-70-6

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Herst. Teile-Nr.:: SI1553CDL-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P, Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	700mA
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	SC-70-6
	Serie	TrenchFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.48mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	12, -12V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	1.2nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	340mW
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Länge	2.2mm
	Höhe	1mm
	Breite	1.35mm
	Normen/Zulassungen	No
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P, Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 700mA
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße SC-70-6
	Serie TrenchFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.48mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 12, -12V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.2nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 340mW
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Länge 2.2mm
	Höhe 1mm
	Breite 1.35mm
	Normen/Zulassungen No
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Automobilstandard Nein

MOSFET der Serie TrenchFET von Vishay, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 700 mA maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SI1553CDL-T1-GE3

Dieser MOSFET ist ein kompakter oberflächenmontierbarer Zweikanal-Transistor, der für Schalt- und analoge Aufgaben in kleinen Baugruppen entwickelt wurde. Es integriert sowohl P-Kanal- als auch N-Kanal-Geräte auf einem einzigen Chip und ermöglicht komplementäre Schalttopologien sowie vereinfachte Anforderungen an die Grundfläche für Entwickler, die mit Niederspannungs-Stromversorgungsschienen und Signalpegel-Schaltungen arbeiten.

Merkmale und Vorteile:

• Sehr niedrige Rds(on) von 1.48 mΩ für reduzierte Leitungsverluste
• Typische Gate-Ladung Qg von 1,2 nC für schnelleres Gate-Drive-Ansprechen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 700 mA für das Schalten bei mittlerer Last
• Maximale Vds von 20 V zur Unterstützung von Niederspannungs-Leistungsbereichen
• Verlustleistung von 340 mW zur Bewältigung thermischer Lasten

Anwendungsbereich

• Geeignet für Batteriemanagement und Stromverteilungsschaltkreise
• Ideal für Lastschaltvorgänge in tragbaren Messgeräten
• Wird mit Pegelverschiebungs- und komplementären FET-Stufen verwendet
• Kann für Niederspannungs-Motorsteuerungs-Treiberstufen verwendet werden

Welche Gehäuseart verwendet es und wie viele Stifte sind vorhanden?

Es wird in einem 6-poligen SC-70-SMD-Gehäuse geliefert, das Platz auf der Leiterplatte spart und gleichzeitig separate Anschlüsse für zwei Geräte bietet.

Welche Gate-Spannungsgrenzen sollte das Design einhalten?

Die Gate-to-Source-Spannung muss innerhalb von ±12 V liegen, um Gerätebelastungen zu vermeiden und einen sicheren Betrieb zu gewährleisten.

Welcher Betriebstemperaturbereich kann bei der Implementierung erwartet werden?

Er verträgt einen breiten Umgebungsbereich von -55 °C bis 150 °C und unterstützt anspruchsvolle thermische Umgebungen.

Enthält das Gerät mehrere Elemente pro Matrize und wie wirkt sich das auf das Layout aus?

Der Chip enthält zwei diskrete Elemente, die eine gespiegelte Verlegung für komplementäre Schaltkreise ermöglichen und die Anzahl der Komponenten reduzieren.