Vishay Isoliert TrenchFET Typ P, Typ P-Kanal 2, Oberfläche, SMD MOSFET 60 V Erweiterung / 135 mA 250 mW, 6-Pin SC-89-6

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

504,00 €

(ohne MwSt.)

600,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,168 €504,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
165-6899
Herst. Teile-Nr.:
SI1025X-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

135mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SC-89-6

Montageart

Oberfläche, SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

250mW

Durchlassspannung Vf

-1.4V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.7nC

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

1.7mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.2 mm

Höhe

0.6mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Vishay Semiconductor


Verwandte Links