Vishay SI1025X-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 135 mA 250 mW, 6-Pin SC-89-6

RS Best.-Nr.:: 165-6899
Herst. Teile-Nr.:: SI1025X-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI1025X-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 135 mA 250 mW, 6-Pin SC-89-6

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RS Best.-Nr.:: 165-6899
Herst. Teile-Nr.:: SI1025X-T1-GE3
Marke:: Vishay

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: PH

Produktdetails

Zweifach-P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	135 mA
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	SC-89-6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	8 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	250 mW
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	1.2mm
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Gate-Ladung typ. @ Vgs	1,7 nC @ 15 V
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	1.7mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	0.6mm