Teile-Nr.

Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, SMD MOSFET 60 V Erweiterung / 190 A, 3-Pin SC-75

RS Best.-Nr.:: 180-7825
Herst. Teile-Nr.:: SI1021R-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, SMD MOSFET 60 V Erweiterung / 190 A, 3-Pin SC-75

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20 - 180	0,385 €	7,70 €
200 - 480	0,309 €	6,18 €
500 - 980	0,231 €	4,62 €
1000 - 1980	0,193 €	3,86 €
2000 +	0,174 €	3,48 €

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RS Best.-Nr.:: 180-7825
Herst. Teile-Nr.:: SI1021R-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	190A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	TrenchFET
	Gehäusegröße	SC-75
	Montageart	SMD
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	8Ω
	Channel-Modus	Erweiterung

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie TrenchFET
	Gehäusegröße SC-75
	Montageart SMD
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 8Ω
	Channel-Modus Erweiterung

Datasheet

Ursprungsland:: CN

Der TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Serie Siliconix Si1021R von Vishay hat einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine hohe Schaltgeschwindigkeit. Es wird in batteriebetriebenen Systemen, Stromversorgungs-Wandlerkreisen, Halbleiterrelais und in Treibern eingesetzt.

Einfaches Ansteuern von Schaltern

Niedrige Offset-Spannung

Niederspannungsbetrieb

Hochgeschwindigkeitsschaltungen

Einfacher Antrieb ohne Puffer

Kleine Leiterplattenfläche

Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, SMD MOSFET 60 V Erweiterung / 190 A, 3-Pin SC-75

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