Vishay TrenchFET SI1021R-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 190 A, 3-Pin SC-75

RS Best.-Nr.:: 180-7825
Herst. Teile-Nr.:: SI1021R-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET SI1021R-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 190 A, 3-Pin SC-75

Voraussichtlich ab 10.09.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 20)

0,39 €

(ohne MwSt.)

0,46 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
20 - 180	0,39 €	7,80 €
200 - 480	0,312 €	6,24 €
500 - 980	0,234 €	4,68 €
1000 - 1980	0,195 €	3,90 €
2000 +	0,176 €	3,52 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 180-7825
Herst. Teile-Nr.:: SI1021R-T1-GE3
Marke:: Vishay

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Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Der TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Vishay Siliconix Si1021R-Serie hat einen niedrigen Betriebswiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Er wird in Batterie betriebenen Systemen, Stromwandlerschaltungen, Halbleiterrelais und in Treibern verwendet.

Einfache Ansteuerung von Schaltern
Niedrige Offsetspannung
Niederspannungsbetrieb
Hochgeschwindigkeitsschaltungen
Leicht ohne Puffer zu fahren
Kleiner Platinenbereich

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	190 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	SC-75
Serie	TrenchFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	8 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay TrenchFET SI1021R-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 190 A, 3-Pin SC-75

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