Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 190 A, 3-Pin SC-75

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
180-7825
Herst. Teile-Nr.:
SI1021R-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

190 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SC-75

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

8 O

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Ursprungsland:
CN
Der TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Vishay Siliconix Si1021R-Serie hat einen niedrigen Betriebswiderstand und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit. Er wird in Batterie betriebenen Systemen, Stromwandlerschaltungen, Halbleiterrelais und in Treibern verwendet.

Einfache Ansteuerung von Schaltern
Niedrige Offsetspannung
Niederspannungsbetrieb
Hochgeschwindigkeitsschaltungen
Leicht ohne Puffer zu fahren
Kleiner Platinenbereich

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