Vishay TrenchFET SIA938DJT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,5 A, 8-Pin PowerPAK SC-70-6L Dual

RS Best.-Nr.:: 228-2835
Herst. Teile-Nr.:: SIA938DJT-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET SIA938DJT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,5 A, 8-Pin PowerPAK SC-70-6L Dual

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Preis pro Stück (In einer VPE à 25)

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
25 - 225	0,509 €	12,725 €
250 - 600	0,484 €	12,10 €
625 - 1225	0,407 €	10,175 €
1250 - 2475	0,382 €	9,55 €
2500 +	0,356 €	8,90 €

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RS Best.-Nr.:: 228-2835
Herst. Teile-Nr.:: SIA938DJT-T1-GE3
Marke:: Vishay

Datasheet - SIA938DJT-T1-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4,5 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	PowerPAK SC-70-6L Dual
Serie	TrenchFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,0215 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1.5V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	2

Vishay TrenchFET SIA938DJT-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,5 A, 8-Pin PowerPAK SC-70-6L Dual

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