Vishay TrenchFET SI4204DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 19,8 A, 8-Pin SO-8

RS Best.-Nr.:: 180-8014
Herst. Teile-Nr.:: SI4204DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET SI4204DY-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 19,8 A, 8-Pin SO-8

Voraussichtlich ab 20.11.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (In einer VPE à 5)

1,52 €

(ohne MwSt.)

1,81 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	1,52 €	7,60 €
50 - 120	1,29 €	6,45 €
125 - 245	1,14 €	5,70 €
250 - 495	0,986 €	4,93 €
500 +	0,912 €	4,56 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 180-8014
Herst. Teile-Nr.:: SI4204DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Mehr Infos und technische Dokumente

Datasheet

Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: CN

Produktdetails

Vishay MOSFET

Der Vishay SMD-Dual-N-Kanal-MOSFET ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 20 V. Er verfügt außerdem über einen Drain-Source-Widerstand von 4,6 mohm bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. Er hat einen Dauerstrom von 19,8 A. Der MOSFET hat eine maximale Nennleistung von 3,25 W. Es wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile

• Halogenfrei
• bleifrei (Pb)
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Anwendungen

• DC/DC-Wandler
• Feste Telekommunikation
• Notebook-PC

Zertifizierungen

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg-geprüft
• UIS-geprüft

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	19,8 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	SO-8
Serie	TrenchFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,006 O
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.4V
Anzahl der Elemente pro Chip	2