Vishay Doppelt TrenchFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 4 A 23.1 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

1.188,00 €

(ohne MwSt.)

1.413,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 3.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,396 €1.188,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
228-2924
Herst. Teile-Nr.:
SiS590DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8 Zweifach

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.251Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

23.1W

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Vishay Combo N- und P-Kanal -100 V MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links