Vishay TrenchFET SiS590DN-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual
- RS Best.-Nr.:
- 228-2924
- Herst. Teile-Nr.:
- SiS590DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- 228-2924
- Herst. Teile-Nr.:
- SiS590DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay Combo N- und P-Kanal -100 V MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N, P |
| Dauer-Drainstrom max. | 4 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 Dual |
| Serie | TrenchFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,167 O, 0,251 O. |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5 V, 2.5 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
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