Vishay TrenchFET SiS590DN-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual

RS Best.-Nr.:: 228-2924
Herst. Teile-Nr.:: SiS590DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay TrenchFET SiS590DN-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual

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RS Best.-Nr.:: 228-2924
Herst. Teile-Nr.:: SiS590DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Datasheet - SiS590DN-T1-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	4 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Serie	TrenchFET
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8 Dual
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	0,167 O, 0,251 O.
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2.5 V, 2.5 V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Transistor-Werkstoff	Si

Vishay TrenchFET SiS590DN-T1-GE3 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 4 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Dual

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