Vishay IGBT 19 W, 6-Pin PowerPAK SC-70-6L Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
180-7793
Herst. Teile-Nr.:
SIA456DJ-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

IGBT

Maximale Verlustleistung Pd

19W

Gehäusegröße

PowerPAK SC-70-6L

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

6

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

16 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

2.15mm

Breite

1.6 mm

Höhe

0.8mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der SMD-N-Kanal-SC-70-6-MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 200 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 16 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 1380 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 19 W und einen Dauerstrom von 2,6 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 1,8 V bzw. 4,5 V. Es hat Anwendung im Aufwärtswandler für tragbare Geräte. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei

• Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

• neues thermisch verbessertes PowerPAK SC-70-Gehäuse - Kleiner Platzbedarf

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.

• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

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