Vishay SIA456DJ-T1-GE3 IGBT

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
180-7793
Herst. Teile-Nr.:
SIA456DJ-T1-GE3
Marke:
Vishay
Ursprungsland:
CN

Vishay MOSFET


Der SMD-N-Kanal-SC-70-6-MOSFET von Vishay ist ein neues Produkt mit einer Drain-Source-Spannung von 200 V und einer maximalen Gate-Source-Spannung von 16 V. Er hat einen Drain-Source-Widerstand von 1380 MOhm bei einer Gate-Source-Spannung von 4,5 V. Er hat eine maximale Verlustleistung von 19 W und einen Dauerstrom von 2,6 A. Er hat eine minimale und eine maximale Treiberspannung von 1,8 V bzw. 4,5 V. Es hat Anwendung im Aufwärtswandler für tragbare Geräte. Dieses Produkt wurde für geringere Schalt- und Leitungsverluste optimiert. Der MOSFET bietet eine ausgezeichnete Effizienz und eine lange und produktive Lebensdauer ohne Kompromisse bei Leistung oder Funktionalität.

Eigenschaften und Vorteile


• Halogenfrei
• Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
• neues thermisch verbessertes PowerPAK SC-70-Gehäuse - Kleiner Platzbedarf
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -55 °C und 150 °C.
• TrenchFET-Leistungs-MOSFET

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007

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