Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 60 A 50 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

Marke

Vishay Siliconix

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

60 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

1V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

50 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–16 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

5.99mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

38,5 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.07mm

Diodendurchschlagsspannung

0.7V