Vishay Siliconix TrenchFET SiS110DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14,2 A 24 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

RS Best.-Nr.:: 178-3693
Herst. Teile-Nr.:: SiS110DN-T1-GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET SiS110DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14,2 A 24 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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RS Best.-Nr.:: 178-3693
Herst. Teile-Nr.:: SiS110DN-T1-GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Datasheet

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	14,2 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8
Serie	TrenchFET
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	70 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Gate-Schwellenspannung min.	4V
Verlustleistung max.	24 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Breite	3.15mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	3.15mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	8,5 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Höhe	1.07mm

Vishay Siliconix TrenchFET SiS110DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 14,2 A 24 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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