Vishay Siliconix SiS110DN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 14.2 A 24 W, 8-Pin PowerPAK 1212

RS Best.-Nr.:: 178-3693
Herst. Teile-Nr.:: SiS110DN-T1-GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix SiS110DN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 14.2 A 24 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:: 178-3693
Herst. Teile-Nr.:: SiS110DN-T1-GE3
Marke:: Vishay Siliconix

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay Siliconix
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	14.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Gehäusegröße	PowerPAK 1212
	Serie	SiS110DN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	70mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	24W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	8.5nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3.15mm
	Breite	3.15mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	1.07mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay Siliconix
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Gehäusegröße PowerPAK 1212
	Serie SiS110DN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 70mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 24W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.5nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3.15mm
	Breite 3.15mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 1.07mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:: CN

MOSFET der Serie SiS110DN von Vishay, 100 V Drain-Source-Spannung, 14,2 A kontinuierlicher Drain-Strom – SiS110DN-T1-GE3

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagement in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die ein Gleichgewicht zwischen Spannungsaufnahme, Strombelastbarkeit und moderater Gate-Ladung für eine effiziente Steuerung erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 100 V Drain-Toleranz ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• Niedriger RDS(on) von 70 mΩ reduziert Leitungsverluste
• 14,2 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt erhebliche Lastströme
• 24 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 8,5 nC ermöglicht eine reaktionsschnelle Gate-Ansteuerung
• Die Gate-Source-Bewertung von ±20 V bietet eine robuste Gate-Spannungsspanne

Anwendungen

• Geeignet für Schaltstufen von DC/DC-Wandlern
• Ideal für die Low-Side-Schaltung von Motorantrieben
• Wird mit synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Telekommunikationsanlagen verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement und Stromverteilung

Welchen Temperaturbereich kann ich für einen zuverlässigen Betrieb erwarten?

Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit großen Temperaturschwankungen.

Wie unterstützt das Gehäuse die Leiterplattenmontage und -kühlung?

Er wird in einem kompakten PowerPAK1212-Gehäuse geliefert, das eine flache Oberflächenmontage und eine angemessene Wärmeübertragung auf die Leiterplatte ermöglicht.

Welche Gate-Drive-Bedenken gelten angesichts der Gate-Ladung?

Mit einer typischen Gate-Ladung von 8,5 nC sollten Gate-Treiber genügend Strom liefern und ableiten, um ohne übermäßige Antriebsverluste mit der gewünschten Geschwindigkeit zu schalten.

Gibt es gesetzliche Beschränkungen für diese Komponente?

Die Komponente entspricht den RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe in elektronischen Baugruppen.