Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 6 A 1,5 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
818-1416
Herst. Teile-Nr.:
SI7900AEDN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

6 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

36 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.4V

Verlustleistung max.

1,5 W

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Länge

3.15mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Gate-Ladung typ. @ Vgs

10,5 nC @ 4,5 V

Breite

3.15mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.07mm

Ursprungsland:
CN

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor



MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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