Vishay N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 12 A 15.6 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

RS Best.-Nr.:: 180-7358
Herst. Teile-Nr.:: SIS412DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 12 A 15.6 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

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RS Best.-Nr.:: 180-7358
Herst. Teile-Nr.:: SIS412DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	12A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.03Ω
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	3.8nC
	Maximale Verlustleistung Pd	15.6W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	0.79mm
	Länge	3.61mm
	Breite	3.61mm
	Normen/Zulassungen	IEC 61249-2-21
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße PowerPAK 1212-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.03Ω
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.8nC
	Maximale Verlustleistung Pd 15.6W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 0.79mm
	Länge 3.61mm
	Breite 3.61mm
	Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21
	Automobilstandard Nein

Datasheet

Ursprungsland:: CN

MOSFET von Vishay, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 12 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SIS412DN-T1-GE3

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in kompakten elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 30 V und unterstützt anhaltende Ablassströme, die für Anwendungen mit mittlerer Leistung geeignet sind. Die Komponente ist für die Montage auf Leiterplattenebene in Konstruktionen vorgesehen, bei denen geringe Leitungsverluste und mäßige Leistungsaufnahme erforderlich sind, und funktioniert zuverlässig über einen breiten Temperaturbereich.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Einschaltwiderstand von 0,03 Ω für geringere Leitungsverluste
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 12 A für höhere Belastbarkeit
• Typische Gate-Ladung Qg 3,8 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• Nennverlustleistung von 15,6 W für dauerhafte thermische Leistung
• Gate-Source-Spannungstoleranz von ±20 V für Antriebsflexibilität
• Betriebsbereich von -55 bis 150 °C für einen breiten Temperaturbereich

Anwendungen

• Geeignet für synchrone Abwärtswandler in kompakten Stromversorgungen
• Ideal für Batteriemanagement und Stromverteilung
• Wird mit Motortreibern verwendet, die ein Hochstromschalten erfordern
• Kann für Lastschalter in Telekommunikationsgeräten verwendet werden
• Nützlich in LED-Treibern, bei denen niedrige Rds(on) die Wärme reduzieren

Welche Verpackungsart sollte ich für die Footprint-Planung erwarten?

Das Gerät wird in einem oberflächenmontierbaren PowerPAK 1212‐8-Gehäuse mit den Maßen 3,61 x 3,61 mm geliefert, das Leiterplatten-Layouts mit hoher Dichte und einen effizienten Wärmekontakt zu Kupferwaagen ermöglicht.

Wie verhält sich das Gerät thermisch unter Last?

Bei einer maximalen Verlustleistung von 15,6 W erfordert das Gerät ein geeignetes Leiterplatten-Thermendesign, da die Sperrschicht-zu-Umgebungs-Hitze so gesteuert werden muss, dass sie innerhalb der maximalen Betriebstemperatur von 150 °C bleibt.

Welche Schalteigenschaften beeinflussen die Treiberauswahl?

Mit einer typischen Gate-Ladung von 3,8 nC muss der Gate-Antrieb während der Übergänge kurze Stromimpulse liefern

Dies verringert die Schaltverluste, erfordert aber die Berücksichtigung des Treiber-Spitzenstroms und des Gate-Widerstands.

Gibt es Grenzen für die Sperrleitung für den Einsatz in synchrone Schaltkreisen?

Die Durchlassspannung ist auf 1,2 V angegeben, sodass das Leitungs- und Erholungsverhalten der Body-Diode in synchrone Gleichrichtertopologien bewertet werden sollte, um Verluste bei Rückstromereignissen zu bewerten.