Vishay SISS5708DN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 33,8 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- RS Best.-Nr.:
- 268-8347
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS5708DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
1,60 €
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1,90 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,60 € | 8,00 € |
| 50 - 95 | 1,438 € | 7,19 € |
| 100 - 245 | 1,15 € | 5,75 € |
| 250 - 995 | 1,126 € | 5,63 € |
| 1000 + | 0,86 € | 4,30 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 268-8347
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS5708DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Generation 5 von Vishay ist bleifreies und halogenfreies Gerät. Es wird in Anwendungen wie synchrone Gleichrichtung, Motorantriebssteuerung, Netzteile eingesetzt.
Sehr geringe Verdienstzahl
ROHS-konform
UIS 100 Prozent getestet
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UIS 100 Prozent getestet
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 33,8 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8S |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Transistor-Werkstoff | Silicon |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
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