Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 150 V / 33,8 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
- RS Best.-Nr.:
- 268-8347
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS5708DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
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- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 33,8 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8S | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Transistor-Werkstoff | Silicon | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 33,8 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 150 V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8S | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Transistor-Werkstoff Silicon | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Generation 5 von Vishay ist bleifreies und halogenfreies Gerät. Es wird in Anwendungen wie synchrone Gleichrichtung, Motorantriebssteuerung, Netzteile eingesetzt.
Sehr geringe Verdienstzahl
ROHS-konform
UIS 100 Prozent getestet
ROHS-konform
UIS 100 Prozent getestet
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