Vishay SISS66DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 178,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

RS Best.-Nr.:: 281-6039
Distrelec-Artikelnummer:: 301-56-785
Herst. Teile-Nr.:: SISS66DN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SISS66DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 178,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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Distrelec-Artikelnummer:: 301-56-785
Herst. Teile-Nr.:: SISS66DN-T1-GE3
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Datasheet - SISS66DN-T1-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	178,3 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8S
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Channel-Modus	Enhancement
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay SISS66DN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 178,3 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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