Vishay SIS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 87 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8PT

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RS Best.-Nr.:
239-5400
Herst. Teile-Nr.:
SiSA12BDN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

87A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SIS

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8PT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0043Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

52W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.3 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

0.75mm

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Vishay hat einen Ablassstrom von 87 A. Er wird für DC/DC mit hoher Leistungsdichte, synchrone Gleichrichtung, VRMs und eingebettete DC/DC, Batterieschutz verwendet.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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