Vishay SIS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 104 A 63 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8PT

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RS Best.-Nr.:
239-5398
Herst. Teile-Nr.:
SISA10BDN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

104A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8PT

Serie

SIS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0036Ω

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.75mm

Länge

3.3mm

Breite

3.3 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Vishay hat einen Ablassstrom von 104 A. Er wird für DC/DC mit hoher Leistungsdichte, synchrone Gleichrichtung, VRMs und eingebettete DC/DC, Batterieschutz verwendet.

100 % Rg- und UIS-geprüft

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