Vishay SISA10BDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 104 A 63 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8PT

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Herst. Teile-Nr.:
SISA10BDN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

104A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8PT

Serie

SISA10BDN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0036Ω

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

0.75mm

Länge

3.3mm

Breite

3.3mm

Automobilstandard

Nein

MOSFET der Serie SISA10BDN von Vishay, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 104 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SISA10BDN-T1-GE3


Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Leistungstransistor, der für Hochstromschaltungen in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die einen hohen Dauerstrom und eine effiziente Leitung bei niedriger Spannung erfordern. Das Gerät integriert einen niedrigen Einschaltwiderstand und eine geringe Gate-Ladung, um die Schaltleistung und die thermische Handhabung in dicht gepackten Systemen auszugleichen.

Merkmale und Vorteile:


• 104 A kontinuierlicher Ablassstrom ermöglicht eine hohe Stromschaltfähigkeit
• 30 V Drain-Source-Nennleistung unterstützt Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• 0,0036 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste und Wärmeentwicklung
• 11,7 nC Gate-Ladung ermöglicht effiziente Gate-Ansteuerung und Schaltsteuerung
• 63 W Verlustleistung für erhebliche thermische Belastung
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V schützt das Gate vor Überantrieb

Anwendungen


• Geeignet für Motortreiberstufen in Automatisierungsanlagen
• Ideal für Hochstrom-DC-DC-Wandler-Ausgänge
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet
• Kann für Lastschaltvorgänge in industriellen Steuerungen verwendet werden
• Wird mit kompakten Leistungsmodulen verwendet, die eine SMD-Montage erfordern

Welchen extremen Temperaturen kann das Gerät während des Betriebs standhalten?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in anspruchsvollen thermischen Umgebungen.

Für welchen Gehäusetyp sollten Designer Platz auf der Grundfläche zulassen?


Die Komponente wird in einem PowerPAK 1212-8PT-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das eine 8-polige SMD-Grundfläche erfordert.

Wie verhält sich das Bauteil unter Bedingungen mit hoher Leistung thermisch?


Die maximale Verlustleistung beträgt 63 W, was darauf hinweist, dass das Gerät bei Montage mit einem geeigneten Leiterplatten-Thermomanagement eine erhebliche Leistung bewältigen kann.

Ist es geeignet, wo eine Kfz-Qualifizierung obligatorisch ist?


Das Gerät entspricht nicht den Zulassungen für die Automobilindustrie, daher sollte es nicht als Ersatz für für die Automobilindustrie qualifizierte Teile angesehen werden.

Welche Überlegungen sind erforderlich, um Schäden zu vermeiden?


Die Amplitude des Gate-Antriebs darf 20 V nicht überschreiten, um innerhalb der maximalen Gate-Source-Nennspannung zu bleiben.

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