Vishay SIS112LDN-T1-GE3 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 8,8 A, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 268-8339
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS112LDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 268-8339
- Herst. Teile-Nr.:
- SIS112LDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Der N-Kanal-TrenchFET-Leistungs-MOSFET der Generation 4 von Vishay ist ein MOSFET mit Einfachkonfiguration. Er ist bleifrei und halogenfrei und wird als primärer Seitenschalter, Motorantriebsschalter und Boost-Wandler verwendet.
Abstimmt auf die niedrigste Leistungszahl
ROHS-konform
UIS-geprüft zu 100 Prozent
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UIS-geprüft zu 100 Prozent
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 8,8 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Transistor-Werkstoff | Silicon |
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