Vishay Si7309DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 19.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- RS Best.-Nr.:
- 710-3386
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7309DN-T1-E3
- Marke:
- Vishay
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- SI7309DN-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | Si7309DN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.115Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 19.8W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21 | |
| Breite | 3.05 mm | |
| Länge | 3.05mm | |
| Höhe | 1.04mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 | ||
Serie Si7309DN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.115Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 19.8W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21 | ||
Breite 3.05 mm | ||
Länge 3.05mm | ||
Höhe 1.04mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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