Vishay Si7309DN Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 8 A 19.8 W, 8-Pin SI7309DN-T1-E3 PowerPAK 1212-8

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RS Best.-Nr.:
710-3386
Herst. Teile-Nr.:
SI7309DN-T1-E3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

Si7309DN

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.115Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-65°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14.5nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

19.8W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Länge

3.05mm

Breite

3.05 mm

Höhe

1.04mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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