Vishay SI7615ADN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

RS Best.-Nr.:: 787-9248
Herst. Teile-Nr.:: SI7615ADN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI7615ADN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

20 Lieferbar am folgenden Werktag (Mo-Fr) bei Bestelleingang werktags bis 22 Uhr.

50 weitere lieferbar innerhalb 4 Werktag(e) (Mo-Fr).

Preis pro Stück (In einer VPE à 10)

0,212 €

(ohne MwSt.)

0,252 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
10 +	0,212 €	2,12 €

*Bitte VPE beachten

RS Best.-Nr.:: 787-9248
Herst. Teile-Nr.:: SI7615ADN-T1-GE3
Marke:: Vishay

Si7615ADN, P-Channel 20V (Drain-Source) MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	35 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	PowerPAK 1212-8
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	9,8 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	0.4V
Verlustleistung max.	52 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-12 V, +12 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Gate-Ladung typ. @ Vgs	122 nC @ 10 V
Breite	3.4mm
Länge	3.4mm
Höhe	1.12mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Vishay SI7615ADN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 35 A 52 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8

P-Kanal MOSFET, 8 V bis 20 V, Vishay Semiconductor

Verwandte Produkte